薮田研究室

​深紫外パルスレーザーを用いた新しい半導体デバイス製造プロセスの開発​

エキシマレーザーという強力な紫外線パルス光を発生させる装置を使用して、紫外光照射により半導体材料の特性を望みのものに変化させたり、デバイスに必要な半導体薄膜を形成するなどの製造プロセスの開発を行っています。
レーザー製造企業との共同研究により、半導体デバイス製造でのリソグラフィーという工程で用いられている高性能​レーザーを使用して、リソグラフィーとは別の新しいプロセス技術の研究開発です（リソグラフィー用エキシマレーザーを設置している大学研究室は希少です！）。
次世代の半導体デバイス製造で用いることを念頭に研究を進めています。

酸化物半導体材料／誘電体材料のデバイス適用と物性研究

低温プロセスで優れた半導体特性を示す酸化物半導体（IGZOなど）の物性研究とデバイス開発、およびｎ型とｐ型の酸化物半導体材料（n-SnO₂/p-SnOなど）を同一素子上に用いた相補型酸化物半導体トランジスタ、などの研究を行います。
また、半導体デバイスにおいてゲート絶縁膜や容量膜に用いられる誘電体材料や、超音波素子などに用いられる圧電材料／強誘電体材料の物性研究とデバイス応用開発を行います。